3, 2, 1... Процессорная война TSMC, IBM и Samsung

2021-05-17
В марте Samsung выпустила 3-нм чип. Это SRAM емкостью 256 ГБ, но площадью всего 56 квадратных миллиметров, использующий транзисторную технологию GAAFET. У TSMC также есть свои 3-нм - FinFET.
 
 
Совсем недавно IBM представила свое, первое в мире, 2-нм решение, как и у Samsung, использующее технологию GAAFET, но с большей плотностью транзисторов на мм2 (3,33 Мтр / мм²).
 
Можно подумать, что на этой волне конкуренции TSMC отстает, но тайваньцы сделали большой прорыв в процессе ниже 1 нм.
 
TSMC в сотрудничестве с Национальным Тайваньским университетом и Массачусетским технологическим институтом обнаружили, что комбинация двумерных материалов с «полуметаллическим висмутом (Bi)» может обеспечить чрезвычайно низкое сопротивление, близкое к квантовому пределу.
 
И хотя, 3-нм чипы Samsung уже могут производиться серийно в следующем году, как и 2-нм IBM, практический этап TSMC гораздо ближе чем может казаться.